H桥电途驱动芯片的使命道理是通过掌管四个晶体管的导通与截止来告终电机的正转、反转和休歇。H桥电途由四个晶体管（经常为MOSFET）构成，变成“H”型机闭。当Q1和Q

　　工采网代办的电机驱动芯片 - SS8812T为打印机和其它电机一体化操纵供给一种双通道集成电机驱动计划。SS8812T有两途H桥驱动，每个H桥可供给较大输出电流1.6A (正在24V和Ta=25C妥当散热条款下)，可驱动两个刷式直流电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管或者其它感性负载

　　幼型封装内置第4代SiC MOSFET，告终业界超高功率密度，帮力xEV逆变器告终幼型化！

　　环球著名半导体修造商ROHM（总部位于日本京都邑）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，拓荒出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”，共4款产物（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1

　　ROHM推出全新Power Stage IC：可替换Si MOSFET，器件体积删除99％

　　近年来，为了告终可陆续进展的社会，对消费电子和工业摆设的电源提出了更高的节能请求。针对这种需求，GaN HEMT行为一种很是有帮于降低功率转换成果和告终器件幼型化的器件被寄予厚望。正在此布景下，环球著名

　　安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构

　　作家：安森美产物扩充工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 正在汽车市集站稳脚跟此后，电动汽车修造商不停正在寻觅更高功率的传动体系、更大的电池容量和更短的充电功夫。为满意客户需乞降耽误行驶里程，电动汽车修造商不停加添车辆的电池容量

　　Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET），管脚尺寸缩幼60％

　　RDS（on）异常低落40％，功率密度降低58倍，适合电信和热插拔预备操纵奈梅亨，2023年3月22日：根底半导体器件范围的高产能临蓐专家Nexperia今日告示推出首批80 V和100 V热插拔专用

　　英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET

　　【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】异日电力电子体系的安排将陆续推动，以告终最高程度的本能和功率密度。为适应这一进展趋向，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推

　　Nexperia推出用于热插拔的全新特定型操纵MOSFET （ASFET），SOA本能翻倍

　　全数优化12V热插拔和软启动操纵中掌管浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：根底半导体器件范围的高产能临蓐专家Nexperia本日告示扩展其合用于热插拔和软启动的ASFET产物组合，推出10款全数优化的25V和30V器件

　　合用于热插拔的Nexperia新款特定操纵MOSFET （ASFET）将SOA加添了166％，并将PCB占用空间减幼80％

　　（企业供图）新推出的80 V和100 V器件最大节造低落额定值，并改正均流，从而供给最佳本能、高牢靠性并低落体系本钱奈梅亨，2021年8月4日：根底半导体器件范围的专家Nexperia今日告示推出新款

　　Nexperia位于曼彻斯特的新8英寸晶圆临蓐线启动，首批产物为行业当先的Qrr品格因数80 V／100 V MOSFET

　　更临蓐线降低了产能，尽力满意实时供应奈梅亨，2021年6月24日：根底半导体器件范围的专家Nexperia今日告示，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆临蓐线启动，首批产人格使最新的NextPower芯片工夫的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET

　　Nexperia新型40 V低RDS（on） MOSFET帮力汽车和工业操纵告终更高功率密度

　　当先的SOA和雪崩特征降低了耐用性和牢靠性奈梅亨，2021年5月27日：根底半导体器件范围的专家Nexperia今日告示推出新型0．55 m? RDS（on） 40 V功率MOSFET，该器件采用高可